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      碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

      碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

      摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體,并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行,例如在大約23丁...

      2022-02-07 標簽:半導體碳化硅電沉積 38

      東芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊

      ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的“MG400V2YMS3”...

      2022-02-01 標簽:MOSFET東芝IGBT碳化硅 984

      使用超臨界二氧化碳剝離碳化光刻膠的實驗

      使用超臨界二氧化碳剝離碳化光刻膠的實驗

      關鍵詞:超臨界清洗,離子注入光刻膠,光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環保的干剝離方法,使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統,在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時去除離子植入的光刻劑...

      2022-01-27 標簽:半導體晶圓化學光刻膠 1079

      關于硅的濕化學蝕刻機理的研究報告

      關于硅的濕化學蝕刻機理的研究報告

      摘要 本文從晶體生長科學的角度回顧了單晶的濕化學蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數量級。對金剛石...

      2022-01-25 標簽:半導體晶體化學蝕刻蝕刻工藝 1067

      【節能學院】電氣火災監控系統在德令哈市新能源有軌電車示范線工程的應用

      【節能學院】電氣火災監控系統在德令哈市新能源有軌電車示范線工程的應用

      點擊藍字關注我們摘要介紹德令哈市新能源有軌電車示范線工程采用剩余電流式電氣火災探測器,就地組網方式,通過現場總線通訊遠傳至后臺,從而實現剩余電流式電氣火災監控系統的搭建,...

      2021-11-19 標簽:監控系統 57

      關于薄膜金剛石的化學機械拋光的研究報告

      關于薄膜金剛石的化學機械拋光的研究報告

      摘要 納米晶金剛石(NCD)可以保留單晶金剛石的優越楊晶模量(1100GPa),以及在低溫下生長的能力(450C),這推動了NCD薄膜生長和應用的復興。然而,由于晶體的競爭生長,所產生的薄膜的粗糙度隨著...

      2022-01-25 標簽:機械晶圓化學金剛石拋光 1042

      關于硫酸-過氧化氫-水系統中砷化鎵的化學蝕刻研究報告

      關于硫酸-過氧化氫-水系統中砷化鎵的化學蝕刻研究報告

      摘要 我們華林科納對h2so4-h202-h20體系中(100)砷化鎵的蝕刻情況進行了詳細的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對蝕刻速率和晶體表面形狀的影響。從這些結果中,蝕刻浴組成的吉布斯三角形...

      2022-01-25 標簽:半導體化學蝕刻砷化鎵蝕刻工藝 772

      長電科技發出預增公告,2021業績豐收已無懸念

      在2021年的前三季度,長電科技延續了自2020年以來的快速發展勢頭,專業化、國際化管理所帶來的盈利能力與運營效率提升效果仍在持續釋放,企業營收和利潤一再打破歷史同期紀錄。因此,對...

      2022-01-25 標簽:半導體SiP封裝封測長電科技 2537

      關于氧化鋅的基本性質和應用的報告

      關于氧化鋅的基本性質和應用的報告

      本文概述了氧化鋅的基本性質,包括晶體結構、能帶結構和熱性質,并介紹了其應用前景、氧化鋅塊體、薄膜和納米結構,氧化鋅的機械性質、基本電子和光學性質以及潛在的應用。 晶體結構...

      2022-01-18 標簽:顯示器半導體晶體氧化鋅 525

      柔性振動盤視覺上料系統

      柔性振動盤視覺上料系統

      柔性振動盤是一種適用于工業自動化生產中99%的小型零部件散料排列上料的,它又叫柔性上料盤、柔性振盤、柔性供料器等。弗萊克斯柔性振動盤有五種規格,分別是FF100-FF500,能夠解決大小不一...

      2021-02-20 標簽:振動盤 393

      吉方定制化服務,持續為客戶提升價值

      吉方定制化服務,持續為客戶提升價值

      吉方工控擁有完善的供應鏈體系,多年來與英特爾保持戰略合作關系,與國產芯片廠商也有良好的互動。在以客戶為導向的工作原則指導下,我們對供應鏈進行了科學的管理和嚴格的品控。...

      2022-01-17 標簽:cpu吉方工控 254

      Transphorm的快速充電器和電源適配器用GaN器件

      高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布,該公司2021年12月份的SuperGaN? Gen IV場效應晶體管(FET)出貨量突破100萬大關。這一里程碑進一步證實...

      2022-01-16 標簽:充電器FET電源適配器GaNTransphorm 1815

      半導體硅太陽能電池基板的濕化學處理及電子界面特性

      半導體硅太陽能電池基板的濕化學處理及電子界面特性

      引言 硅(Si)在半導體器件制造中的大多數技術應用都是基于這種材料的特定界面性能。二氧化硅(二氧化硅)可以通過簡單的氧化方法在硅表面制備,其特點是高化學和電穩定性。晶體硅在光伏...

      2022-01-13 標簽:太陽能半導體電子硅片電池 1123

      用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

      用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

      硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應行為因為硫酸加入而受到顯著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蝕刻速率為4000–5000 NMS-1,w (40%-HF)/w (65%-HNO3)比為2比4,w (97%-H2SO4)0.3.對于較高濃...

      2022-01-13 標簽:多晶硅半導體晶圓刻蝕刻蝕工藝 573

      半導體有機酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機理分析

      半導體有機酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機理分析

      引言 用電化學和原子力顯微鏡方法對有機酸與銅的相互作用進行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機酸、二有機酸和三有機酸中銅的蝕刻速率和氧化機理。除了草...

      2022-01-13 標簽:半導體電化學蝕刻清洗蝕刻工藝 367

      DB HiTek憑借RF SOI/HRS工藝拓展射頻前端業務

      DB HiTek已宣布通過基于130/110納米技術的射頻絕緣體上硅(RF SOI)和射頻高電阻率襯底(RF HRS)工藝來拓展射頻前端業務。 射頻前端是無線通信的必備器件,其負責IT設備之間的發射(Tx)和接收(Rx),并廣...

      2022-01-13 標簽:射頻射頻芯片SOI射頻前端智能硬件 1652

      蝕刻工藝關于濕化學處理后InP表面的研究

      蝕刻工藝關于濕化學處理后InP表面的研究

      引言 本文將討論在不同的濕化學溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分,并將有助于理解不同的外原位濕化學處理的影響。這項工作的重點將是酸性和堿...

      2022-01-12 標簽:InP技術化學蝕刻物理襯底 637

      關于晶體硅太陽能電池單面濕法化學拋光的方法

      關于晶體硅太陽能電池單面濕法化學拋光的方法

      引言 高效太陽能電池需要對硅片的正面和背面進行單獨處理。在現有技術中,電池的兩面都被紋理化,導致表面相當粗糙,這對背面是不利的。因此,在紋理化后直接引入在線單面拋光步驟。...

      2022-01-12 標簽:太陽能電池太陽能半導體晶體硅拋光 328

      O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

      O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

      引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導體之一。氧化鋅不僅作為單晶,而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能,如寬直接帶隙3.37 eV,大結合強度內聚能1.89 eV,熔點2248 K,高激子結合能60 meV,即...

      2022-01-12 標簽:晶圓單晶蝕刻 330

      在氯化鈉-異丙醇溶液中的表面鈍化和形態

      在氯化鈉-異丙醇溶液中的表面鈍化和形態

      引言 原子平面的制備是半導體基板上原子尺度操作的必要前提。由于自組裝現象或使用原子探針技術操縱單個原子,只有原子平面的表面才能產生可重復制造納米級原子結構的機會。原子平坦...

      2022-01-10 標簽:半導體砷化鎵鈍化拋光 283

      先進清洗技術提高晶體硅太陽能電池效率

      先進清洗技術提高晶體硅太陽能電池效率

      引言 晶體硅光伏效率和場退化領域的技術差距/需求已經被確定。效率低下和快速退化的原因可能有共同的根源。極少量的污染會導致光伏效率低下,并且在現場安裝后暴露在陽光下時容易進一...

      2022-01-10 標簽:太陽能電池太陽能半導體光伏晶體硅 489

      碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

      碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

      引言 人們對用于器件應用的碳化硅(SiC)重新產生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數和熱膨脹系數,可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應用領域,例如與航空航天、汽車和石油工...

      2022-01-10 標簽:半導體SiC碳化硅刻蝕刻蝕工藝 278

      微氣泡對光刻膠層的影響

      微氣泡對光刻膠層的影響

      關鍵詞:氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環保光刻膠去除方法的候選方法。已經證明,臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑,即使被高...

      2022-01-10 標簽:半導體光刻晶片光刻膠 259

      混合鋁蝕刻劑的化學特性分析

      混合鋁蝕刻劑的化學特性分析

      摘要 我們華林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性,以確定該蝕刻劑系統在純鋁電路光刻制造中的潛在生產應用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的...

      2022-01-07 標簽:半導體印刷電路蝕刻蝕刻技術 396

      多磷酸蝕刻劑的化學特性

      多磷酸蝕刻劑的化學特性

      摘要 在印刷和蝕刻生產厚金屬膜中的精密圖案時,需要對化學蝕刻劑有基本的了解,以實現工藝優化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確...

      2022-01-07 標簽:化學蝕刻蝕刻工藝 403

      使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法

      使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法

      引言 隨著半導體技術的發展,為了在有限的面積內 形成很多器件,技術正在向多層結構發展。要想形成多層結構,會形成比現有更多的薄膜層 ,這時晶片背面也會堆積膜。目前,在桔葉式設備...

      2022-01-05 標簽:pcb半導體晶圓蝕刻 366

      用于異質結太陽能電池應用的Na2CO3溶液的硅片紋理化

      用于異質結太陽能電池應用的Na2CO3溶液的硅片紋理化

      引言 在太陽能電池工業中,最常見的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而,IPA是有毒的,而且相對昂貴,因此人們正在努力取代它。在過去的幾年中,硅異質...

      2022-01-05 標簽:太陽能電池太陽能半導體晶片硅片 556

      開年專訪谷泰微創始人兼CEO石方敏:2022本土IC要迎“大考”

      開年專訪谷泰微創始人兼CEO石方敏:2022本土IC要迎“大考”

      隨著全球數字化轉型加速以及AIOT、智能汽車市場爆發,全球集成電路市場規模加速增長,預計2021年全球集成電路市場將增長到5700億美元,未來5年將更增長到1萬億美元的規模!...

      2022-01-04 標簽:集成電路IC設計芯片設計 476

      Nano Dimension宣布收購Essemtec AG

      -Essemtec AG是一家為印刷電路板和原始設備制造商行業提供表面貼裝取放系統的供應商 -本次收購有助于為以下方面的突破性進展奠定基礎:作為增材制造電子產品解決方案一部分的微芯片放置方...

      2021-12-31 標簽:電路板smt3D打印 2313

      國內首條!基本半導體汽車級碳化硅功率模塊專用產線正式通線

      國內首條!基本半導體汽車級碳化硅功率模塊專用產線正式通線

      12月30日,基本半導體位于無錫市新吳區的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行,首批碳化硅模塊產品成功下線。這是目前國內第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產線,采用先進碳化硅...

      2021-12-31 標簽:MOSFETSiC功率模塊碳化硅基本半導體 1131

      SiO2在氫氟酸中的刻蝕機理

      SiO2在氫氟酸中的刻蝕機理

      摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點,并研究了SiQ的蝕刻反應作為高頻溶液中不同物種的函數?;贖F二聚體的存在,建立了一種新的SiO~蝕刻機制模型, SiQ在高頻溶液中的溶解是在集...

      2021-12-31 標簽:晶圓鍍膜刻蝕刻蝕機 687

      Al2O3鈍化PERC太陽能電池的工業清洗序列

      Al2O3鈍化PERC太陽能電池的工業清洗序列

      摘要 在本文中,我們研究了測試晶圓和PERC太陽能電池的不同工業適用清洗順序,并與實驗室類型的RCA清洗進行了比較。清潔順序pSC1、HF/HCl、HF/O3和HF/O3顯示出1 ms至2 ms之間的壽命,這與對應于低...

      2021-12-31 標簽:太陽能電池太陽能晶圓晶片TYN1225 651

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